Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de freio integrado | Sim |
| Número de componentes | 6 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo FP50R12KT4G?
O módulo FP50R12KT4G suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FP50R12KT4G é comumente utilizado?
O módulo FP50R12KT4G é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e controle de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12KT4G?
A temperatura de operação (Tj) do FP50R12KT4G varia de -40 °C a +150 °C.