Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.32 K/W |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do gate (IGES) | ±250 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP100R12W3T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características do diodo de freio integrado?
O módulo FP100R12W3T7_B11 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode). A corrente nominal do coletor pulsada (Icm) é de 400 A.
Quais as características de isolamento e encapsulamento do FP100R12W3T7_B11?
O módulo possui isolamento galvânico integrado e é encapsulado em EconoDUAL™ 3. A resistência térmica junção-carcaça (RthJC) é de 0.32 K/W.