Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do gate (Ige) | ±250 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do coletor-emissor do FP25R12KT4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é 25 A. A corrente nominal do coletor em pulso (Ic, pulse) é 50 A.
Quais as temperaturas de operação do FP25R12KT4_B11 e qual o seu pacote?
A temperatura de operação do FP25R12KT4_B11 varia de -40 °C a +125 °C. O pacote é EconoDUAL™ 3.
Quais são algumas aplicações típicas do FP25R12KT4_B11?
O FP25R12KT4_B11 é adequado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais. Ele integra um diodo de freio (Fast Diode) e utiliza a tecnologia IGBT 4.