Infineon FP10R12W1T7_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 10 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 20 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 1.0 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), controle de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal do módulo FP10R12W1T7_B11?

A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Em quais aplicações o módulo FP10R12W1T7_B11 pode ser utilizado?

O FP10R12W1T7_B11 é adequado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e controle de motores.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R12W1T7_B11?

A faixa de temperatura de operação do FP10R12W1T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.

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