Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente nominal do diodo (If) | 25 A |
| Tensão direta do diodo (Vf) | 1.2 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.65 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação, controle de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench/Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do módulo FP25R12W2T4P?
A tensão de isolamento do módulo é de 2500 Vrms.
Quais as aplicações típicas do módulo FP25R12W2T4P?
As aplicações típicas do módulo FP25R12W2T4P incluem inversores solares, fontes de alimentação e controle de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP25R12W2T4P?
A faixa de temperatura de operação do módulo FP25R12W2T4P é de -40 °C a +150 °C.