Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, 1200V, 150A, com diodo de freewheeling integrado e tecnologia NTC.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Resistência térmica Coletor | Dissipador (RthJC): 0.24 K/W |
| Tensão de saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Sensor de temperatura NTC integrado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo FP150R12N3T7_B11 suporta?
O módulo suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP150R12N3T7_B11?
O módulo pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as principais características do FP150R12N3T7_B11?
O módulo possui tecnologia IGBT de alta velocidade, diodo de freewheeling (Fast Diode) integrado, sensor de temperatura NTC integrado e baixas perdas de condução e chaveamento. Além disso, a corrente contínua do coletor (Ic) é de 150 A e a tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.7 V. A tensão de gate (Vge) é de ±20 V e a corrente de gate (Ig) é de 1.5 A. O package é EconoDUAL™ 3.