Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FP75R12W3T7_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do Infineon FP75R12W3T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do Infineon FP75R12W3T7_B11?
O Infineon FP75R12W3T7_B11 é adequado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores.