Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, parte da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.24 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FP150R12KT4P_B11?
O módulo IGBT FP150R12KT4P_B11 suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V e possui tensão de isolamento de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP150R12KT4P_B11?
A faixa de temperatura de operação do FP150R12KT4P_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do IGBT FP150R12KT4P_B11?
O FP150R12KT4P_B11, parte da família EconoDUAL™ 3, utiliza tecnologia IGBT4, possui corrente nominal do coletor (Ic) de 150 A, tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico), tensão de limiar do gate-emissor (Vge(th)) de 5.5 V (típico), corrente de gate-emissor (Ige) de ±200 mA, e resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.24 K/W. Possui 6 chaves e é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.