Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor trifásico com corrente nominal de 100A e tensão de 1200V.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200V |
|---|---|
| Corrente coletora contínua (Ic) | 100A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75V (típico) |
| Corrente de pico coletora (Icm) | 300A |
| Tensão gate | emissor (Vge): ±20V |
| Corrente de gate (Ig) | 200mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-Phase Bridge |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™)
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão máxima que o FP100R12N3T7 suporta?
O módulo FP100R12N3T7 da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200V.
Em quais faixas de temperatura o FP100R12N3T7 pode operar?
O FP100R12N3T7 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do FP100R12N3T7?
O FP100R12N3T7 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e acionamentos de motores industriais.