Infineon FP50R12W2T7 SKU FP50R12W2T7

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

SKU: FP50R12W2T7 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 50 A
Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) 100 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Resistência térmica junção a-carcaça (RthJC): 0.5 K/W
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de comutação e condução

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do módulo FP50R12W2T7?

O módulo FP50R12W2T7 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão de isolamento de 2500 Vrms.

Quais são as principais aplicações do módulo FP50R12W2T7?

O módulo FP50R12W2T7 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP50R12W2T7?

O módulo FP50R12W2T7 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

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