Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Tecnologia IGBT NPT (Non | Punch-Through) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 15 |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de gate
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do FP25R12N2T7?
O módulo IGBT FP25R12N2T7 opera com uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do FP25R12N2T7?
O FP25R12N2T7 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FP25R12N2T7 e qual seu encapsulamento?
O FP25R12N2T7 utiliza a tecnologia IGBT NPT (Non-Punch-Through) e é encapsulado em um EconoDUAL™ 3.