Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com 75A e 1200V, projetado para aplicações industriais e de energia renovável.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 nA |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 half-bridges |
Recursos
- Tecnologia IGBT NBG (New Generation)
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado (Emiter Controlled)
- Baixas Perdas de Condução e Comutação
- Alta Densidade de Potência
- Isolamento Elétrico Integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo FP75R12N2T4 pode suportar?
O módulo FP75R12N2T4 possui uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FP75R12N2T4?
O FP75R12N2T4 opera em temperaturas de -40°C a +150°C.
Quais as características de isolamento e configuração do FP75R12N2T4?
O FP75R12N2T4 possui isolamento elétrico integrado e está encapsulado em um package EconoDUAL™ 3, configurado com 6 half-bridges.