Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 50 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EasyPIM 2B |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Isolamento galvânico | 2500 Vrms |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP25R12W2T7?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a faixa de temperatura de operação é de -40 °C a 150 °C.
Quais as principais características do diodo de freio integrado?
O FP25R12W2T7 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode). A corrente nominal do coletor (Ic) é 25 A e a corrente de pico do coletor (Icm) é 50 A.
Quais as especificações de isolamento e encapsulamento do módulo?
O módulo de potência FP25R12W2T7 possui isolamento galvânico de 2500 Vrms e é encapsulado em um package EasyPIM 2B. A resistência térmica junção-case (RthJC) é 0.65 K/W.