Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 150 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP150R12KT4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A temperatura de operação da junção varia de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente e encapsulamento do FP150R12KT4P?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 150 A, com corrente de pulso de 300 A. O módulo utiliza o package EconoDUAL™ 3.
Quais as tecnologias e funcionalidades integradas no FP150R12KT4P?
O FP150R12KT4P utiliza tecnologia IGBT 4 e possui um diodo de freio integrado (Fast Diode). A tensão de limiar gate-emissor (Vge(th)) é de 5.5 V.