Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão nominal do diodo (Vf) | 1.2 V (típico) |
| Corrente nominal do diodo (If) | 50 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal do coletor-emissor do FP50R12W2T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do módulo é 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R12W2T7_B11?
O FP50R12W2T7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12W2T7_B11?
A faixa de temperatura de operação do módulo FP50R12W2T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.