Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e Emitter Controlled 4 Diode. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo | Emitter Controlled 4 Diode |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 300 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.31 K/W |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FP75R12KT4P e qual sua corrente nominal?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A.
Em quais aplicações o FP75R12KT4P é tipicamente utilizado?
O FP75R12KT4P é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.
Qual a temperatura de operação e o package do FP75R12KT4P?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 °C a +150 °C. O módulo é fornecido no package EconoDUAL™ 3.