Módulo IGBT Infineon FP75R12KT4P – 1200V 75A
Procurando por um módulo IGBT trifásico de alta qualidade para sua aplicação? Apresentamos o Infineon FP75R12KT4P, um componente de potência que oferece desempenho excepcional, confiabilidade e eficiência energética.
Especificações Técnicas do FP75R12KT4P:
- Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Configuração: Módulo trifásico de entrada retificadora PIM
- Tensão de Colecionador-Emissor (VCES): 1200V
- Corrente de Colecionador (IC): 75A
- Frequência de chaveamento: Alta
- Perdas de chaveamento: Baixas
- Indutância de dispersão: Baixa
- Material da base: Cobre (para ótima dissipação de calor)
- Tipo de pinos: Soldáveis
- Conformidade RoHS
Características e Benefícios do Infineon FP75R12KT4P
O módulo IGBT Infineon FP75R12KT4P é projetado para atender às demandas de aplicações que exigem alta potência e desempenho. Ele oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta eficiência: As baixas perdas de chaveamento do FP75R12KT4P contribuem para a redução do consumo de energia e aumento da eficiência geral do sistema.
- Confiabilidade excepcional: Construído com materiais de alta qualidade e tecnologia avançada, este módulo IGBT garante operação confiável mesmo em condições exigentes.
- Design compacto: O FP75R12KT4P possui um design compacto que facilita a integração em diversos projetos.
- Excelente dissipação de calor: A base de cobre do módulo garante uma dissipação térmica eficiente, prolongando a vida útil do componente.
Aplicações do Módulo IGBT
O Infineon FP75R12KT4P é ideal para uma variedade de aplicações, como:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Condicionadores de energia
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Encontre o Infineon FP75R12KT4P na Mokka Sensors
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