Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FP25R12KT4?
A tensão de isolamento (Viso) do FP25R12KT4 é de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP25R12KT4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Qual a tecnologia e componentes integrados no FP25R12KT4?
O FP25R12KT4 utiliza tecnologia IGBT 4 e possui um diodo de freio integrado (Fast Diode).