Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 50 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12N2T7P?
O módulo IGBT FP50R12N2T7P possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e opera em uma faixa de temperatura de -40 a +150 °C (Tj).
Quais as principais características de corrente do FP50R12N2T7P?
Este módulo IGBT suporta uma corrente nominal do coletor (Ic) de 50 A e uma corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) de 100 A. A corrente de fuga reversa (Ir) é de 50 A.
Em quais aplicações o FP50R12N2T7P é tipicamente utilizado?
O FP50R12N2T7P é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, incorporando tecnologia IGBT 7 e um diodo de freio (Fast Diode) integrado, que beneficia aplicações com alta densidade de potência e baixas perdas de condução e chaveamento. Ele é encapsulado em um package EconoDUAL™ 3.