Infineon FP15R12W1T7P_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 15 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 1 mA (máx.)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), controle de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e corrente do Infineon FP15R12W1T7P_B11?

A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é 15 A.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.

Quais são algumas das aplicações típicas do FP15R12W1T7P_B11?

As aplicações típicas incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e controle de motores.

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