Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 70 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Número de pinos | 7 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP35R12W2T4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O FP35R12W2T4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP35R12W2T4_B11?
O módulo de potência é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, integrando um diodo de freio e utilizando a tecnologia IGBT 4.