Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12KT4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R12KT4P?
O FP50R12KT4P é indicado para inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Quais são as características elétricas do FP50R12KT4P?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A, com corrente de pico (Icm) de 100 A. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico), a tensão de limiar gate-emissor (Vge(th)) é 5.5 V (típico) e a corrente de gate (Ig) é ±200 mA.