Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência Térmica (Rthjc) | 0.65 K/W |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase Ponte Retificadora com Freewheeling Diode |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7ª Geração
- Baixas Perdas de Condução e Comutação
- Alta Robustez e Confiabilidade
FAQ
Qual a tensão máxima que o FP15R12W1T7_B3 pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o FP15R12W1T7_B3 opera?
O FP15R12W1T7_B3 opera entre -40 °C e 150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do FP15R12W1T7_B3?
O FP15R12W1T7_B3 é projetado para aplicações como inversores solares e fontes de alimentação. Ele possui configuração de 3-fase Ponte Retificadora com Freewheeling Diode e utiliza tecnologia IGBT de 7ª Geração.