Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia IGBT NPT (Non | Punch Through) |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.45 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12N2T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R12N2T7_B11?
O FP50R12N2T7_B11 é utilizado em inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.
Qual a temperatura de operação do FP50R12N2T7_B11?
O módulo de potência FP50R12N2T7_B11 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.