Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
| Diodo de freio | Diode Emitter Controlled 3 (EC3) |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EasyPACK™ 1B |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FP75R12N3T7?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP75R12N3T7 é de 1200 V.
Em quais aplicações o FP75R12N3T7 é tipicamente utilizado?
O FP75R12N3T7 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP75R12N3T7?
A faixa de temperatura de operação do FP75R12N3T7 é de -40 °C a +125 °C.