Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 15 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 45 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP15R12W1T4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A tensão de isolamento é de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4_B11?
A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de corrente e tecnologia do FP15R12W1T4_B11?
O módulo possui corrente nominal do coletor (Ic) de 15 A, corrente nominal do coletor pulsada (Icm) de 45 A, tecnologia IGBT 4 e um diodo de freio rápido integrado.