Infineon FP10R12W1T4P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 10 A (a 100°C)
Corrente de coletor pulsada (Icm) 20 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico a 10 A)
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40°C a +150°C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixa indutância de stray

FAQ

Qual a tensão coletor-emissor (Vces) do FP10R12W1T4P?

A tensão coletor-emissor (Vces) do FP10R12W1T4P é de 1200 V.

Em que faixa de temperatura o FP10R12W1T4P pode operar?

O FP10R12W1T4P pode operar na faixa de temperatura de -40°C a +150°C.

Quais são algumas aplicações típicas do FP10R12W1T4P?

O FP10R12W1T4P é utilizado em aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais.

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