Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP200R12N3T7_B11?
O módulo de potência IGBT FP200R12N3T7_B11 possui tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V e pode operar na faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP200R12N3T7_B11?
O FP200R12N3T7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e acionamentos de motor.
Quais as principais características do FP200R12N3T7_B11?
O FP200R12N3T7_B11 utiliza a tecnologia IGBT 7, possui diodo de freewheeling integrado, baixas perdas de condução e comutação, corrente nominal do coletor (Ic) de 200 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 400 A e é encapsulado em EconoDUAL™ 3.