Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 pacotes de semicondutores |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP25R12W2T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FP25R12W2T7_B11 pode operar?
O módulo de potência FP25R12W2T7_B11 opera em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do FP25R12W2T7_B11?
O FP25R12W2T7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.