Infineon FP10R12W1T7_B3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia TrenchIGBT 4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 30 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 nA
Resistência térmica junção case (RthJC): 1.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a temperatura de operação do FP10R12W1T7_B3?

O módulo de potência FP10R12W1T7_B3 opera entre -40 °C e +150 °C.

Quais as aplicações típicas do FP10R12W1T7_B3?

O FP10R12W1T7_B3 é projetado para aplicações em inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.

Qual a tensão do coletor-emissor e a corrente contínua do coletor do FP10R12W1T7_B3?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é 1200 V, e a corrente contínua do coletor (Ic) é 10 A.

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