Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 1 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente nominal do diodo (IF) | 25 A |
| Tensão direta do diodo (VF) | 1.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP25R12KT4_B15?
A faixa de temperatura de operação do módulo FP25R12KT4_B15 é de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão nominal e a corrente do coletor do IGBT deste módulo?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 25 A.
O FP25R12KT4_B15 possui diodo de freewheeling?
Sim, o FP25R12KT4_B15 possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT 4.