Infineon FP75R12N2T7

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Módulo IGBT Infineon FP75R12N2T7 – 1200V 75A

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O FP75R12N2T7 é um módulo IGBT trifásico de 1200V e 75A, ideal para aplicações industriais que exigem alta performance e confiabilidade. Com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e diodo Emitter Controlled 7, este módulo oferece excelente desempenho em termos de perdas de comutação e condução, contribuindo para a eficiência energética do seu sistema.

Especificações Técnicas do FP75R12N2T7:

  • Tecnologia: IGBT7 – T7
  • Tensão coletor-emissor (Vces): 1200V
  • Corrente de coletor (Ic): 75A
  • Configuração: PIM (Power Integrated Module) trifásico
  • Encapsulamento: EconoPIM™ 2
  • Temperatura de junção (Tj): -40°C a +175°C
  • Recursos de proteção: Diodo de roda livre integrado e NTC

Aplicações do Módulo IGBT Infineon:

O FP75R12N2T7 é a solução perfeita para uma variedade de aplicações industriais, incluindo:

  • Inversores de frequência
  • Conversores de energia
  • Sistemas de acionamento de motores
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

Benefícios do FP75R12N2T7:

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para suas necessidades:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas e melhorando o desempenho geral do sistema.
  • Robustez e confiabilidade, garantindo operação estável em ambientes industriais desafiadores.
  • Design compacto e leve, facilitando a integração em seus projetos.
  • Tecnologia avançada TRENCHSTOP™ IGBT7 para comutação rápida e perdas mínimas.

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Infineon FP75R12N2T7

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