Infineon FP25R12W1T7

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FP25R12W1T7 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 25 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de pulso do coletor (Icm) 75 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 300 nA
Diodo de freio integrado Sim
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7

FAQ

Qual a tensão máxima que o FP25R12W1T7 pode suportar?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP25R12W1T7?

A temperatura de operação do FP25R12W1T7 varia de -40 °C a +150 °C.

Quais as características do diodo de freio integrado no FP25R12W1T7?

O FP25R12W1T7 possui um diodo de freio integrado.

Entre em Contato

Condição

Novo

Carrinho de compras