Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP35R12N2T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP35R12N2T7_B11?
O FP35R12N2T7_B11 é utilizado em inversores solares, sistemas UPS e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP35R12N2T7_B11?
A faixa de temperatura de operação do FP35R12N2T7_B11 é de -40 °C a +125 °C.