Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 40 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 120 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora com freewheeling diode |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP40R12KE3G?
O FP40R12KE3G opera com uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características de temperatura de operação do FP40R12KE3G?
O módulo FP40R12KE3G opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do FP40R12KE3G?
O FP40R12KE3G é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando tecnologia IGBT 4, e oferecendo alta densidade de potência e isolamento galvânico.