Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Montagem em parafuso
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12W3T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. Possui tensão de isolamento de 2500 Vrms.
Quais as características térmicas do FP50R12W3T7_B11?
A resistência térmica junção-caixa (RthJC) é de 0.5 K/W. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações e tecnologias do FP50R12W3T7_B11?
Este módulo é projetado para aplicações de inversor solar e UPS. Utiliza tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™) e possui diodo de freio integrado. Possui montagem em parafuso e o encapsulamento é EconoDUAL™ 3.