Infineon FP15R12W1T7

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão de coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 15 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e chaveamento

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do FP15R12W1T7?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do FP15R12W1T7 é de 1200 V.

Em quais aplicações o FP15R12W1T7 é tipicamente utilizado?

O FP15R12W1T7 é utilizado em aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T7?

A faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T7 é de -40 °C a +125 °C.

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