Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 15 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 30 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.65 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP15R12W1T4P_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. O módulo opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP15R12W1T4P_B11?
O FP15R12W1T4P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (sistemas de alimentação ininterrupta) e fontes de alimentação industriais.
Quais as características do diodo de freio integrado e da tecnologia IGBT utilizada?
O FP15R12W1T4P_B11 possui um diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT 4. A tensão de isolamento é de 2500 Vrms.