Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida. Projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (VGE(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.32 K/W |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a temperatura de operação do módulo FP75R12N3T7_B11?
O módulo FP75R12N3T7_B11 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FP75R12N3T7_B11 e qual seu encapsulamento?
Este módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e é encapsulado em um EconoDUAL™ 3.
Quais as principais características de tensão e corrente do FP75R12N3T7_B11?
O FP75R12N3T7_B11 possui uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A.