Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 15 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP15R12W1T4P?
O módulo IGBT FP15R12W1T4P possui tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FP15R12W1T4P é comumente utilizado?
Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4P?
A faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4P é de -40 °C a +125 °C.