Infineon FF2400R12IP7P

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Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 2400 A
Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) 1600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 3000 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 mA
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Package Press-Pack

Recursos

  • Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 7
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e chaveamento
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a faixa de temperatura de operação do FF2400R12IP7P?

O módulo de potência FF2400R12IP7P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Qual a tensão nominal e a corrente contínua do coletor-emissor do FF2400R12IP7P?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FF2400R12IP7P é de 1200 V, e a corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) é de 1600 A.

Quais as tecnologias e características do FF2400R12IP7P?

O FF2400R12IP7P utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 7, possui um diodo de freio integrado e se caracteriza por baixas perdas de condução e chaveamento, além de alta densidade de potência.

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