Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia renovável e industrial.
Especificações
| Tensão nominal | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 1800 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 2000 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)) @ 1500A, Vge=15V: ≤ 1.8 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Tensão de isolamento (Viso) | 4000 Vrms |
| Package | Press-Pack |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de isolamento do FF1800R12IE5?
A tensão de isolamento (Viso) do FF1800R12IE5 é de 4000 Vrms.
Quais as temperaturas de operação do FF1800R12IE5?
A temperatura de operação do FF1800R12IE5 varia de -40°C a +125°C.
Qual a tecnologia IGBT utilizada no FF1800R12IE5 e qual o seu tipo de encapsulamento?
O FF1800R12IE5 utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5 e possui encapsulamento Press-Pack.