Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Tipo de diodo | Diode |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vcesat): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Número de chaves | 2 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
| Configuração | Half-bridge |
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo FF900R12IE4?
O módulo de potência IGBT FF900R12IE4 da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o módulo FF900R12IE4 é tipicamente utilizado?
O módulo FF900R12IE4 é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.
Qual a temperatura de operação do módulo FF900R12IE4?
A temperatura de operação do módulo FF900R12IE4 varia de -40 °C a 150 °C.