Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 200 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Corrente de gate Ig | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF200R12KT4?
A tensão nominal (Vces) do FF200R12KT4 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FF200R12KT4 opera em uma faixa de temperatura que vai de -40 °C a +125 °C.
Quais as características da tecnologia utilizada no FF200R12KT4?
O FF200R12KT4 utiliza tecnologia IGBT 4, possui isolamento galvânico e apresenta baixas perdas de condução e comutação.