Infineon FF900R12IE4P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida E4, projetado para aplicações de inversor de alta potência.

SKU: FF900R12IE4P Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida E4, projetado para aplicações de inversor de alta potência.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 900 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 1800 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de recuperação rápida E4
Configuração 6 pacotes IGBT
Package Module
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.03 K/W
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores de alta potência, acionamentos de motores, fontes de alimentação

Recursos

  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FF900R12IE4P?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF900R12IE4P é de 1200 V.

Em quais aplicações o FF900R12IE4P é tipicamente utilizado?

O FF900R12IE4P é projetado para aplicações como inversores de alta potência, acionamentos de motores e fontes de alimentação.

Qual a temperatura de operação do FF900R12IE4P?

A temperatura de operação do FF900R12IE4P varia de -40°C a +125°C.

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