Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Diodo de roda livre | E5 |
| Package | Press-Pack |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 2400 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico aprimorado
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FF1200R12IE5P?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF1200R12IE5P é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FF1200R12IE5P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do diodo de roda livre e da tecnologia IGBT utilizados?
O módulo FF1200R12IE5P utiliza um diodo de roda livre E5 e a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5.