Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, contínua a 100°C) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1800 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.02 K/W |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal deste módulo IGBT?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 900 A. A corrente contínua a 100°C é de 600 A.
Em que faixa de temperatura este módulo IGBT pode operar?
O Infineon FF900R12IP4D tem uma temperatura de operação que varia de -40°C a +125°C.
Quais são algumas das características importantes deste módulo de potência?
Este módulo utiliza a tecnologia IGBT 4, possui um diodo de freio integrado (Fast Diode), apresenta baixas perdas de condução e chaveamento, e oferece isolamento galvânico.