Infineon FF1500R12IE5P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 1500 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate emissor (Ige): ±500 mA
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT5
Diodo de freio E5
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.03 K/W
Isolamento galvânico Sim

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FF1500R12IE5P?

O módulo de potência IGBT FF1500R12IE5P suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF1500R12IE5P?

O FF1500R12IE5P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

Quais as principais características do diodo de freio e da tecnologia IGBT utilizados no FF1500R12IE5P?

O FF1500R12IE5P utiliza um diodo de freio E5 e a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT5. Possui isolamento galvânico e é fornecido em um package EconoDUAL™ 3.

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