Descrição
Transistor de potência IGBT de 1200V com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) | 600 A |
| Corrente Pulsada do Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.5 A |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.05 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT IFF600B12ME4P_B11 suporta?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IFF600B12ME4P_B11?
O IFF600B12ME4P_B11 opera em temperaturas entre -40°C e +175°C.
O IFF600B12ME4P_B11 possui diodo de roda livre integrado?
Sim, o IFF600B12ME4P_B11 possui um diodo de roda livre integrado.