Infineon FF600R12ME4_B73

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Ige) ±300 mA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.03 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motores

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de comutação e condução

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FF600R12ME4_B73?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF600R12ME4_B73 é de 1200 V.

Quais as temperaturas de operação do módulo?

O FF600R12ME4_B73 opera em temperaturas de -40 °C a +125 °C.

Quais as aplicações típicas do FF600R12ME4_B73?

As aplicações típicas do FF600R12ME4_B73 incluem inversores solares, sistemas de energia eólica e acionamentos de motores.

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