Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
| Diodo de freio | E5 |
| Package | Module |
| Número de chaves | 2 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vcesat): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Isolamento | 4000 Vrms |
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do FF1200R12IE5?
O módulo IGBT FF1200R12IE5 opera com uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200V. O isolamento é de 4000 Vrms. A temperatura de operação varia de -40°C a +150°C.
Quais as principais características de corrente e chaveamento do FF1200R12IE5?
O FF1200R12IE5 possui uma corrente contínua do coletor (Ic) de 1200A e utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5. O módulo tem 2 chaves e um diodo de freio E5 integrado.
Quais são os principais parâmetros elétricos e térmicos do FF1200R12IE5?
A tensão de saturação coletor-emissor (Vcesat) é de 1.8V (típico), com uma tensão de limiar gate-emissor (Vge(th)) de 5.5V (típico). A corrente de fuga reversa (Ir) é de 10mA. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.02 K/W.